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利用溅射法和分子外延法在不同基片温度下制备的掺Cr的AlN薄膜，具有室温铁磁性能，但它们的磁矩各有不同。然而有关其室温铁磁性能的机理尚不十分清楚，新近日本大阪大学的材料研究人员利用活性dc（直流）磁控溅射法在热氧化硅（001）基片上于室温下制得的Cr掺杂AlN薄膜，
Cr掺杂AlN薄膜的结晶结构和磁性能
【摘 要】
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利用溅射法和分子外延法在不同基片温度下制备的掺Cr的AlN薄膜，具有室温铁磁性能，但它们的磁矩各有不同。然而有关其室温铁磁性能的机理尚不十分清楚，新近日本大阪大学的材料研
【出 处】
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金属功能材料
【发表日期】
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2007年5期
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