基质掺杂离子对(Y,Rn)2O2S:Sm3+,Ti4+,Mg2+(Rn=La,Gd,Lu,Ga,Al)红色长余辉材料余辉性能的影响

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采用高温固相法制备了基质掺杂的(Y,Rn)_2O_2S∶Sm~(3+),Ti~(4+),Mg~(2+)(Rn=La,Gd,Lu,Ga,Al)红色长余辉材料,主峰均为4G5/2→6H7/2跃迁的红橙色光发射,不受基质掺杂的影响.余辉性能测试表明掺杂离子半径对余辉性能具有重要的影响:单掺时,与Y3+半径相近并略小时样品的余辉时间有正增长;双离子共掺时均为小半径的掺杂对余辉性能有显著的提高,其中之一半径较大时即具有负效应.并对可能存在的机理进行了初步探讨. (Y, Rn) _2O_2S:Sm ~ (3 +), Ti ~ (4 +), Mg ~ (2 +) (Rn = La, Gd, Lu, Ga, Al ) Red long afterglow material with the main peaks of red emission of 4G5 / 2 → 6H7 / 2 transitions are not affected by the matrix doping.The afterglow performance test shows that the doping ion radius has an important influence on the afterglow performance: , And the afterglow time of the samples has a positive growth when the radius of Y3 + is a little smaller than that of Y3 +. When doubly ion doping, the doping with small radius has a significant improvement on the afterglow performance, and one of them has a negative effect when the radius is large. Possible mechanism of the initial discussion.
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