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InGaP/GaAsHBT具有功率密度大、线性好和阈值电压一致性好等而广泛应用于无线通信终端放大器，本文基于自主HBT工艺技术，借助GaAsMMIC和辅助PCB板外匹配架构，通过选择合适的器件尺寸和偏置条件以及匹配结构，实现高性能的终端放大器。在VCC=5V，ICC=300mA下，频率1.59-1.62GHz范围内，小信号增益大于39dB，输出功率大于38dBm，附加效率大于55%，1dB压缩功率大于37dBm,1dB压缩功率下的效率大于50%；采用PI/4QPSK调制信号，频率间隔21.6kHz和滤波器