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对提高快速晶闸管发射区ｎｃ与基区Ｐｂ杂质浓度比值Ｎｃ／Ｎｂ，降低器件通态压降进行了理论分析；叙述了开管Ｇａ扩散技术的特点，并与闭管Ｇａ扩散和Ｂ－Ａ１双质Ｐ型扩散方式进行了比较。实验证明，用开管Ｇａ扩散工艺制造快速晶闸管，可明显改善器件的通态伏安特性。
开管镓扩散技术改善快速晶闸管通态特性
【摘 要】
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对提高快速晶闸管发射区ｎｃ与基区Ｐｂ杂质浓度比值Ｎｃ／Ｎｂ，降低器件通态压降进行了理论分析；叙述了开管Ｇａ扩散技术的特点，并与闭管Ｇａ扩散和Ｂ－Ａ１双质Ｐ型扩散方式进行了比较。实验证明，用开管Ｇａ扩散工艺制造
【机 构】
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山东师范大学半导体研究所,北京电力电子新技术研究开发中心
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1997年3期
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