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为了进行有效的集成电路成品率预报及故障分析，与光刻有关的硅片表面缺陷通常被假定为圆形的或方形的，然而，真实缺陷的形貌是多种多样的，本文提出一种准确的缺陷表征模型。该模型考虑了缺陷的真实轮廓，并且针对短路和开路模式，在引起故障概率相同的意义下将起初缺陷等效为缺陷，实现了硅片表面缺陷的精细表征。
IC制造中的真实缺陷轮廓表征方法研究
【摘 要】
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为了进行有效的集成电路成品率预报及故障分析，与光刻有关的硅片表面缺陷通常被假定为圆形的或方形的，然而，真实缺陷的形貌是多种多样的，本文提出一种准确的缺陷表征模型。该模型
【机 构】
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西安电子科技大学
【出 处】
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电子学报
【发表日期】
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1998年2期
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