Pr^3+掺杂Ge-Ga-Se-CsI硫卤玻璃性能及光纤制备

• 作 者: 汪俊 冯赞 吴国林 汪金晶 焦凯 王弦歌 刘佳 梁晓林 徐铁
• 机 构: 宁波大学信息科学与工程学院高等技术研究院红外材料及器件实验室,浙江省光电探测材料及器件重点实验室,嘉兴学院南湖学院
• 出 处: 发光学报
• 发表日期: 2020年11期
• 关键词: 硫卤玻璃 JUDD-OFELT理论 辐射寿命 光纤损耗 chalcohalide glassJudd-Ofelt theoryradiative lifetim
• 基金项目: 国家自然科学基金(61705091,61875097,61627815),浙江省自然科学基金(LY20F050010,LR18F050002)资助项目

采用熔融淬冷法制备了两种浓度的Pr^3+掺杂GeSe2-Ga2Se3-CsI(GGC)硫卤玻璃。在2.0μm激光激励下,比较了玻璃片(2 mm)和玻璃柱(6 mm)的荧光发射光谱。用Judd-Ofelt理论计算分析了Pr^3+掺杂Ge-Ga-Se-CsI硫卤玻璃的强度参数Ωi(i=2,4,6)和辐射寿命τrad等光谱参数。通过拟合衰变曲线,测得了玻璃的荧光寿命值(0.5%Pr^3+:3.08 ms)。所制备的光纤具备双包层结构,通过截断法得到光纤在7.6μm处的最低损耗为2.27 dB/cm。