【摘 要】
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设计了用于制冷型红外读出电路系统的输出缓冲器,该缓冲器能在读出电路5 MHz的读出速度下驱动约20 pF的电容,可以在低温77 K下工作。对运放的增益,频率特性等进行了详细地阐
【机 构】
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院研究生院,
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设计了用于制冷型红外读出电路系统的输出缓冲器,该缓冲器能在读出电路5 MHz的读出速度下驱动约20 pF的电容,可以在低温77 K下工作。对运放的增益,频率特性等进行了详细地阐述,并考虑了低温77 K时MOSFET参数的变化带来的影响。最后,给出了修改CMOS常温模型参数后的仿真结果,芯片采用0.35μm,3.3 V CMOS工艺实现,并给出了77 K下的测试结果,满足红外读出电路系统要求。
An output buffer was designed for use in a chilled infrared readout circuitry that drives approximately 20 pF at a readout speed of 5 MHz in the readout circuit and can operate at low temperatures of 77 K. Gain and frequency characteristics of the op amp are described in detail, taking into account the impact of changes in MOSFET parameters at 77 K at low temperatures. Finally, the simulation results after modifying the CMOS model parameters are given. The chip is implemented with 0.35μm and 3.3 V CMOS technology. The test results at 77 K are given to meet the requirements of infrared readout system.
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