【摘 要】
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基于中国散裂中子源BL09终端提供的宽能谱中子束流,开展智能手机大气中子单粒子效应试验研究.发现死机、内存清空和音频波形失真等故障现象,源于中子在7 nm FinFET工艺CPU、DRAM和Flash芯片中引起的单粒子效应.计算由高能中子和热中子产生的各种故障类型的FIT值,发现高能中子产生的错误率较热中子高5～9倍.观测到录音波形出现幅度整体下降、时间维度的前后移位和局部波形失真等异常现象.试验结果表明,大气中子单粒子效应对地面数以亿计的消费电子产品有显著的影响,必须在产品设计时进行加固处理.
【机 构】
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工业和信息化部电子第五研究所,电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室,华南理工大学,散裂中子源科学中心,
【基金项目】
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广东省省级科技计划项目(2017B090921001),
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基于中国散裂中子源BL09终端提供的宽能谱中子束流,开展智能手机大气中子单粒子效应试验研究.发现死机、内存清空和音频波形失真等故障现象,源于中子在7 nm FinFET工艺CPU、DRAM和Flash芯片中引起的单粒子效应.计算由高能中子和热中子产生的各种故障类型的FIT值,发现高能中子产生的错误率较热中子高5～9倍.观测到录音波形出现幅度整体下降、时间维度的前后移位和局部波形失真等异常现象.试验结果表明,大气中子单粒子效应对地面数以亿计的消费电子产品有显著的影响,必须在产品设计时进行加固处理.
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