【摘 要】
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同步辐射光刻的三维聚甲基丙烯酸甲酯（Polymethyl Methacrylate，PMMA）微结构制造对X射线光刻掩膜板的吸收体形状和PMMA所吸收的X射线能量分布有直接影响，即三维PMMA微结构形状取
【机 构】
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上海交通大学微纳米科学技术研究院,日本立命馆大学微系统系
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同步辐射光刻的三维聚甲基丙烯酸甲酯（Polymethyl Methacrylate，PMMA）微结构制造对X射线光刻掩膜板的吸收体形状和PMMA所吸收的X射线能量分布有直接影响，即三维PMMA微结构形状取决于X射线光刻掩膜板的吸收体形状。如果不对X射线光刻掩膜板进行补偿，在被曝光的结构中可观察到结构侧面的变形。研究了引起这种结构侧面变形的各种原因并提出X射线剂量对刻蚀深度非线性曲线是最直接的原因。基于X射线光刻掩膜板图形形状和实际制造的三维PMMA微结构的误差，X射线光刻掩膜板从双直角三角形变为双半圆图形
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