ChCl-EG低共熔溶剂中Ni的电沉积行为研究

• 作 者: 杜俊荣 王焕磊 时婧 徐飞 郑起 王媛媛 毕铭雪 从铭玥 孙海静
• 机 构: 沈阳理工大学,辽宁沈阳110159中国海洋大学,山东青岛266100;沈阳理工大学,辽宁沈阳110159;中国海洋大学,山东青岛266100
• 出 处: 辽宁化工
• 发表日期: 2020年9期
• 关键词: 低共熔溶剂 镍 电沉积 氯化胆碱 乙二醇

对氯化胆碱-乙二醇(ChCl-EG)低共熔溶剂中Ni的电沉积行为进行研究.采用循环伏安法和计时电流法研究了ChCl-EG低共熔溶剂中电沉积Ni的电化学行为、成核生长机理,利用扫描电子显微镜(SEM)、能谱分析(EDS)对电沉积得到的镀层进行微观形貌和元素组成分析.结果 表明,ChCl-EG低共熔溶剂的电化学窗口为2.55 V,在ChCl-EG低共熔溶剂中镍的氧化、还原电位分别是0.1 V、-0.96 V,还原过程为一步还原,电极还原反应不可逆,镍沉积的成核机理属于三维瞬时成核,得到的镍镀层平整、致密.