【摘 要】
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采用非活性金属中间层FeNi/Cu在高、低真空条件下进行了Si3N4陶瓷与Ni的扩散连接,然后对部分接头进行了热等静压(HIP)后处理,测定了连接接头的四点弯曲强度,用扫描电镜(SEM)
【机 构】
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华东船舶工业学院,华中科技大学,华南理工大学
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采用非活性金属中间层FeNi/Cu在高、低真空条件下进行了Si3N4陶瓷与Ni的扩散连接,然后对部分接头进行了热等静压(HIP)后处理,测定了连接接头的四点弯曲强度,用扫描电镜(SEM)、电子探针(EPMA)和X射线衍射仪(XRD)对连接界面区域进行了分析.结果表明,采用非活性金属中间层扩散连接Si3N4陶瓷与Ni,在高真空和低真空条件下均能获得高强度连接,连接界面处没有形成Ni-Si化合物反应层,连接时间对接头强度的影响不明显.上述特征与用活性金属中间层连接时的情况截然不同.本文的连接方法有着重要的工程
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