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本文首次报道了VPE ZnS_xSe_(1-x)外延膜在77K时起因于激子和激子(Ex—Ex)散射的自发辐射和受激辐射,研究了Ex—Ex散射发光的位置和强度与激发密度的关系,分析了受激辐射的光子能量比自发辐射稍低的原因.
VPEZnSxSe12—x外延膜中的自发和受激辐射
【摘 要】
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本文首次报道了VPE ZnS_xSe_(1-x)外延膜在77K时起因于激子和激子(Ex—Ex)散射的自发辐射和受激辐射,研究了Ex—Ex散射发光的位置和强度与激发密度的关系,分析了受激辐射的光
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所,中国科学院长春物理研究所
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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1991年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金,,中国科学院重大综合基础基金
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