表面悬挂键对GaAs纳米线掺杂的影响及其钝化

• 作 者: 崔建功 张霞 黄永清 任晓敏
• 机 构: 北京邮电大学信息光子学与光通信国家重点实验室
• 出 处: 化学物理学报
• 发表日期: 2014年6期
• 关键词: GaAs纳米线 第一性原理计算 表面悬挂键 GaAs nanowire First-principles calculation Surface dangl
• 基金项目: This work was supported by the National Basic Research Program of China （No.2010CB327600）, the National Natural Science Foundation of China （No.61020106007 and No.61376019）, the Natural Science Founda

利用第一性原理计算方法研究了表面悬挂键对GaAs纳米线掺杂的影响及其钝化．计算结果显示，不论是闪锌矿结构还是纤锌矿结构，GaAs纳米线表面Ga原子上带正电荷的表面悬挂键都是一类稳定的缺陷，并且这种稳定性不会随着纳米线直径的变化而变化．这种表面悬挂键会形成载流子陷阱中心从而从p型掺杂的GaAs纳米线俘获空穴，使得纳米线的掺杂效率下降．和NH3相比，NO2 具有足够的电负性来俘获GaAs纳米线表面悬挂键上的未配对电子，从而有效地钝化GaAs纳米线的表面悬挂键，提高纳米线的p型掺杂效率，并且这种钝化特性不会随着