【摘 要】
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本文综述了近二、三年来国外硅材料的发展,指出了硅多晶材料在世界将会出现供给不足的局面。硅单晶(CZ法)的炉产量仍在扩大,而材料质量在纯度方面已能满足器件要求,只是单晶
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本文综述了近二、三年来国外硅材料的发展,指出了硅多晶材料在世界将会出现供给不足的局面。硅单晶(CZ法)的炉产量仍在扩大,而材料质量在纯度方面已能满足器件要求,只是单晶微缺陷和其它性能仍在进行研究。NTD硅单晶已经成为质量很好的商品。文内还对CZ法的ACRT和MCZ工艺以及太阳电池级硅材料作了介绍。
This article summarizes the development of foreign silicon materials in the recent two or three years and points out that there will be insufficient supply of silicon polycrystalline materials in the world. Silicon single crystal (CZ) furnace production is still expanding, and the material quality has been able to meet the device purity requirements, only the single crystal micro-defects and other properties are still under study. NTD silicon single crystal has become a good quality goods. The article also CZ ACRT and MCZ technology and solar cell grade silicon were introduced.
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