60keV质子辐照对TiNi记忆合金薄膜马氏体相变的影响舷

• 作 者: 王治国 祖小涛 雷雨 莫华强 傅永庆
• 机 构: 电子科技大学,应用物理系,四川,成都,610054;Department of Engineering,University of Cambridge,Trumpington Street,CB2,1
• 出 处: 强激光与粒子束
• 发表日期: 2004年11期
• 关键词: TiNi形状记忆合金薄膜 H离子注入 马氏体相变 示差扫描量热仪 X射线衍射

利用磁控溅射的方法在氧化后的单晶Si基片上制备了TiNi形状记忆合金薄膜,利用示差扫描量热法和原位X射线衍射研究了薄膜的马氏体相变特征.通过60keV质子注入(辐照)薄膜样品研究了H+离子对合金薄膜马氏体相变特征的影响,结果表明氢离子注入后引起了马氏体相变开始Ms和结束点Mf以及逆马氏体相变开始As和结束温度Ar的下降,而对R相变开始R,和结束温度Rr影响不大.掠入射X射线衍射表明H+离子注入后有氢化物形成.H+离子注入形成的氢化物是引起相变点的变化的主要因素.