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提出了一种新的非均匀减薄法,即选择阳极氧化法。用于n<sup>+</sup>-n-n<sup>++</sup>GaAs高低结雪崩二极管的n<sup>+</sup>层厚度的控制,使器件的效率达到理论值。
一种新的非均匀减薄法—选择阳极氧化法
【摘 要】
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提出了一种新的非均匀减薄法,即选择阳极氧化法。用于n<sup>+</sup>-n-n<sup>++</sup>GaAs高低结雪崩二极管的n<sup>+</sup>层厚度的控制,使器件的效率达到理论值。
【机 构】
：
中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所北京,北京,北京
【出 处】
：
电子科学学刊
【发表日期】
：
1991年2期
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