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用MOCVD在CaF2衬底上生长的ZnSe/ZnS多量子阱材料,在77K下用N2激光泵浦染料获得的宽带光脉冲进行了非线性光学测量,首次观察到ZnSe/ZnS多量子阱的激子光学双稳性,据分析这是由激子的能带增宽效应引起的增强吸收光学双稳性.
ZnSe/ZnS多量子阱激子光学双稳性
【摘 要】
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用MOCVD在CaF2衬底上生长的ZnSe/ZnS多量子阱材料,在77K下用N2激光泵浦染料获得的宽带光脉冲进行了非线性光学测量,首次观察到ZnSe/ZnS多量子阱的激子光学双稳性,据分析这是由激子的能带增宽效应引起的增强吸收光学双稳性.
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所哈尔滨工业大学应用物理系
【出 处】
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光学学报
【发表日期】
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1990年10期
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