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Renesas（瑞萨）公司日前在美国华盛顿举办的国际电子器件会议（International Electron Device Meetingl上发表已成功研发出可重复读写的相变化内存，体积小而且能以1．5V的电源电压、100μA的低电流完成信息读写，可应用为第二代大容星或片上非易失性内存，前途相当看好。