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由日本京都大学、筑波大学、东海大学和产业技术综合研究所组成的研发小组发现,用高强度太赫兹脉冲照射相变材料GeSbTe化合物(GST)后,该材料会以纳米尺寸从非晶状态生长出晶体。GST可用于目前使用的记录型DVD和新一代非易失性固体存储器,是一种备受期待的相变存储器记录材料。
太赫兹脉冲可使相变材料长出晶体
【摘 要】
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由日本京都大学、筑波大学、东海大学和产业技术综合研究所组成的研发小组发现,用高强度太赫兹脉冲照射相变材料GeSbTe化合物(GST)后,该材料会以纳米尺寸从非晶状态生长出晶
【出 处】
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光学精密机械
【发表日期】
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2018年4期
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