【摘 要】
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通过MBE外延系统生长了2μmGaSb基AlGaAsSb/InGaSbI型量子阱激光器,并制备了宽面条形波导激光器件,在20℃工作温度下,器件最大连续激射功率达到1.058W,当注入电流为0.5A时,峰
【机 构】
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中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,中国科学技术大学量子信息与量子物理协同创新中心,
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通过MBE外延系统生长了2μmGaSb基AlGaAsSb/InGaSbI型量子阱激光器,并制备了宽面条形波导激光器件,在20℃工作温度下,器件最大连续激射功率达到1.058W,当注入电流为0.5A时,峰值波长为1.977μm,最大能量转换效率为20.2%,在脉冲频率为1000Hz,占空比为5%的脉冲工作模式下,最大激射功率为2.278W.
A 2μm GaSb-based AlGaAsSb / InGaSbI quantum well laser was grown by MBE epitaxy system and a wide-facet waveguide laser device was fabricated. The maximum continuous laser power reached 1.058W at a working temperature of 20 ℃. When the injection current was 0.5A , The peak wavelength of 1.977μm, the maximum energy conversion efficiency of 20.2%, the pulse frequency of 1000Hz, 5% duty cycle pulse mode, the maximum lasing power of 2.278W.
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