真空蒸发制备ZnTe纳米薄膜

• 作 者: 李忠贤 李蓉萍 吴蓉
• 机 构: 内蒙古大学物理科学与技术学院
• 出 处: 信息记录材料
• 发表日期: 2009年4期
• 关键词: ZNTE 真空蒸发 晶格结构 光学带隙 纳米薄膜 ZnTe vacuum evaporation crystal structure Optical ba

利用真空蒸发的方法制备ZnTe纳米薄膜，用X射线衍射仪、紫外可见分光光度计对薄膜的物相结构、光学特性进行了测试，用冷热探针、薄膜测厚仪、四探针电阻率测试仪对薄膜导电类型、厚度、折射率和电阻进行了测试。结果表明，当原子配比Zn：Te=1：0．7，热处理温度T=500℃时，可制备较理想的ZnTe多晶薄膜，薄膜的择优取向沿（111）晶向，光透射增加，薄膜的光学带隙为2．341eV．薄膜的导电类型为P型。折射率随波长的增加而减小。