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本文中发现在ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ缓冲层上故意掺杂的ＩｎｙＧａ１－ｙＡｓ／（Ａｌ）ＧａＡｓ超晶格样品中存在着两个互相反的自建电场区，一个位于样品表面，另一个位于ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ缓冲层和超晶格界面，据此，合理地解释了样品的光伏测试结果，并对此类样品的ＭＯＣＶＤ生长工艺给予指导。
InxGa1—xAs缓冲层上InyGa1—yAs／（A1）GaAs超晶格的光伏谱研究
【摘 要】
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本文中发现在ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ缓冲层上故意掺杂的ＩｎｙＧａ１－ｙＡｓ／（Ａｌ）ＧａＡｓ超晶格样品中存在着两个互相反的自建电场区，一个位于样品表面，另一个位于ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ缓冲层和超晶格界面，据此，合理地解释了样品的光伏测试结果，并对此类样品
【机 构】
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国家光电子工艺中心,厦门大学物理系
【出 处】
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光子学报
【发表日期】
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1996年12期
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