【摘 要】
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采用SiGe BiCMOS工艺设计了一个X波段六位移相器。该移相器工作频率8~12GHz,移相范围为360°,步进5.625°。移相器采用高通/低通滤波器结构,通过六级移相单元以及多个单刀双
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十四研究所;
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采用SiGe BiCMOS工艺设计了一个X波段六位移相器。该移相器工作频率8~12GHz,移相范围为360°,步进5.625°。移相器采用高通/低通滤波器结构,通过六级移相单元以及多个单刀双掷开关级联实现。测试结果显示,芯片在1.2V的电源电压下,10GHz频率处插损约为15dB,在64种移相状态下,RMS相位误差1.6°,幅度偏差0.3dB,端口回波损耗小于-16dB。芯片不包含焊盘的尺寸约为2.65mm×0.81mm。
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