【摘 要】
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中国科学院半导体研究所研制的N沟MOS 4096位动态随机存贮器,采用了先进的N沟硅栅等平面工艺和单管单元电路。集成度为10875个元件/片,管芯成品率超过20％。 为提高集成度,缩
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中国科学院半导体研究所研制的N沟MOS 4096位动态随机存贮器,采用了先进的N沟硅栅等平面工艺和单管单元电路。集成度为10875个元件/片,管芯成品率超过20％。 为提高集成度,缩小芯片面积和提高电路性能,除简化电路外,还对各单项工艺进行了较深入的研
N-channel MOS 4096-bit dynamic random access memory developed by the Institute of Semiconductors of the Chinese Academy of Sciences adopts an advanced N-channel silicon gate and other planar technology and a single-tube unit circuit. The integrated level is 10875 components / piece, the die yield more than 20%. To improve the integration, reduce the chip area and improve circuit performance, in addition to simplify the circuit, but also for each individual process conducted a more in-depth research
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