图形衬底上应变SiGe/Si超晶格的结构及光致发光研究

• 作 者: 司俊杰 杨沁清 高俊华 滕达 王启明 郭丽伟 周均铭
• 机 构: 中国科学院半导体研究所,中国科学院物理研究所
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 1999年05期
• 关键词: SiGe/Si 量子线 光致发光 超晶格 倒金字塔 光跃迁 金字塔结构 间接带隙 发光效率 直接带隙

本文研究了在Ｓｉ的图形衬底上生长应变ＳｉＧｅ／Ｓｉ超晶格的结构和其光致发光性质．图形衬底由光刻形成的类金字塔结构组成．发现在组成倒金字塔结构的（１１１）面的交界处有富Ｇｅ的ＳｉＧｅ量子线出现．对相同条件下图形衬底和平面衬底上的应变ＳｉＧｅ层的光致发光谱进行了比较，图形衬底上总的发光强度相对提高了５．２倍．认为这种提高同富Ｇｅ的ＳｉＧｅ量子线的产生相关．