【摘 要】
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<正> 单晶Si衬底上沉积一层非晶绝缘的SiO_2膜,再在SiO_2膜上沉积一多晶硅层,经区熔再结晶处理后,形成单晶硅膜。这种结构的材料称为SOI(Silicon on Insulator)·SOI材料
【机 构】
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北京有色金属研究总院,北京有色金属研究总院
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<正> 单晶Si衬底上沉积一层非晶绝缘的SiO_2膜,再在SiO_2膜上沉积一多晶硅层,经区熔再结晶处理后,形成单晶硅膜。这种结构的材料称为SOI(Silicon on Insulator)·SOI材料用于集成电路时具有许多优点,它速度高、集成度高、抗辐照和抗Latch-up效应,也可以用于制备高压器件和敏感器件的集成电路,对于上述应用,要求Si膜中无缺陷。因此,采用热沉和厚度调制结构(图1),使缺陷限定于预先确定的区域,而在其余的区域得到无缺陷的SOI材料。当快速再结晶工艺选择不当
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