氢化物气相外延生长的GaN厚膜中位错密度计算

• 作 者: 刘战辉 修向前 张荣 谢自力 颜怀跃 施毅 顾书林 韩平 郑
• 机 构: 南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京信息工程大学数理学院
• 出 处: 半导体技术
• 发表日期: 2008年S1期
• 关键词: 位错 氮化镓 氢化物气相外延 X射线衍射 dislocation GaN HVPE XRD
• 基金项目: 国家“973”重点基础研究项目(2006CB6049),国家“863”高技术研究发展计划(2006AA03A103,2006AA03A118,2006AA03Z411),国家自然科学基金(60721063,60676057,60731160628,60710085,60776001,60820106003),江苏省创新学者攀登项目(BK2008019),南京大学研究生科研创新基金资助

采用两种不同的方法分别确定了在c面蓝宝石上用氢化物气相外延(HVPE)法生长的六方相的GaN厚膜中的位错密度。首先,利用选择性化学腐蚀方法研究了GaN膜中的晶体缺陷,研究区分了位错的不同类型,发现在HVPEGaN贯通位错占主导地位。由腐蚀后形成的腐蚀坑数量可以直接来确定膜中的位错密度。此外,研究了用特定的X射线衍射峰半峰宽数据计算得到位错密度的方法。结果表明,HVPE生长的六方相的GaN厚膜中的位错密度为109～1010cm-2,而且两种方法所得到的结果相符合。