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研究了表面掺杂和高温烧结对ＴiO2材料的半导化的影响，结果表明：ＴiO2材料在高温条件下可产生间隙离子和氧空位；掺入与Ｔi^4+离子半径相近的Ｖ^5+,Nb^5+,Mg^2+,Li^+等离子可与ＴiO2生成固熔体，从而增加材料的导电粒子数目，改变了ＴiO2材料的能带结构，降低材料的固有阻值，使ＴiO2材料的半导化。