【摘 要】
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以共振能级的透射系数半峰宽(FWHM)做为共振隧穿二极管(RTD)材料结构设计的依据,对GaAs/A-lAs/In0.1Ga0.9As材料体系的RTD进行了设计。用分子束外延(MBE)进行了RTD结构材料制
【机 构】
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河北工业大学信息工程学院,GaAs超高速集成电路与微波功率器件国防科技重点实验室,
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以共振能级的透射系数半峰宽(FWHM)做为共振隧穿二极管(RTD)材料结构设计的依据,对GaAs/A-lAs/In0.1Ga0.9As材料体系的RTD进行了设计。用分子束外延(MBE)进行了RTD结构材料制备,X射线双晶衍射(XRD)分析表明,制备的异质结界面光滑、层厚准确。RTD采用台面结构,器件特性测试结果表明,峰值电流密度为112 kA/cm2时,电流峰-谷比达到8.25。
The RTD of GaAs / A-lAs / In0.1Ga0.9As system was designed based on the FWHM of the resonance energy level as the material structure design of the resonant tunneling diode (RTD). The material of RTD structure was prepared by molecular beam epitaxy (MBE). X-ray double crystal diffraction (XRD) analysis showed that the prepared heterojunction interface is smooth and the layer thickness is accurate. The RTD adopts a mesa structure. The device characteristics test results show that the current peak-to-valley ratio reaches 8.25 at a peak current density of 112 kA / cm2.
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