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Vishay发布采用其新型p通道TrenchFET第三代技术的首款器件-Si7137DP，该20V p通道MOSFET采用SO-8封装，具备业内最低的导通电阻。
Vishay推出最低导通电阻的新型MOSFET
【摘 要】
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Vishay发布采用其新型p通道TrenchFET第三代技术的首款器件-Si7137DP，该20V p通道MOSFET采用SO-8封装，具备业内最低的导通电阻。
【出 处】
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中国电子商情：基础电子
【发表日期】
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2009年4期
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