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本文论述了具有垂直沟道、多单元结构的高电压、大电流功率MOS场效应晶体管(VDMOSFET)的设计理论及方法.并从四个方面阐述了其结构特点,提供了具体设计参数及部分二维数值分析结果.
VDMOSFET结构设计
【摘 要】
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本文论述了具有垂直沟道、多单元结构的高电压、大电流功率MOS场效应晶体管(VDMOSFET)的设计理论及方法.并从四个方面阐述了其结构特点,提供了具体设计参数及部分二维数值分
【机 构】
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华中理工大学固体电子学系,华中理工大学固体电子学系
【出 处】
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华中理工大学学报
【发表日期】
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1991年5期
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