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在传统ZnO-Bi2O3系压敏电阻陶瓷材料低温烧结配方基础上，用Y2O3掺杂改性，在920℃烧结得到显微结构致密均匀、α>40、压敏电压梯度大于100V/50μm的多元压敏电阻陶瓷材料，采用该材料制备了高压敏电压的多层片式压敏电阻器。试验结果表明，掺入适量的 Y2O3，可明显提高 ZnO-Bi2O3系低温烧结配方压敏电阻陶瓷材料显微结构均匀性和致密性，当掺杂量为2wt%时，920℃下烧结良好,可匹配纯银内电极，制备中高压多层片式陶瓷压敏电阻器。该项技术已实现商业化应用。