【摘 要】
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用浸渍法将Ga、 Zn以氧化物的形式负载于HZSM-5上, 并研究了其对C3~4烷烃芳构化的催化活性. 结果表明, 分别加入2%Ga和2%Zn后, 当温度为520 ℃、空速为0.76 h-1时, 具有较高的
【机 构】
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湘潭工学院化学工程系,华东理工大学工业催化研究所
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用浸渍法将Ga、 Zn以氧化物的形式负载于HZSM-5上, 并研究了其对C3~4烷烃芳构化的催化活性. 结果表明, 分别加入2%Ga和2%Zn后, 当温度为520 ℃、空速为0.76 h-1时, 具有较高的催化活性和芳烃选择性;反应进行100 h后, 催化活性无明显降低, 显示出对C3~4 烷烃芳构化良好的稳定性 . 用TPD和正丁胺Hammett 酸性滴定法, 测定了催化剂的表面酸性, 发现加入Ga、 Zn等组分后, 催化剂的总酸量变化不大, 而酸强度却有所增加;加入Zn组分后, 催化剂的孔径变小, 对
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