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提出了一种高效率逆F类GaN HEMT功率放大器设计方法,给出了GaN HEMT大信号优化模型,并基于负载牵引、源牵引和谐波负载牵引下进行仿真,得到了晶体管最大输出功率和最大效率下的最佳输入和输出阻抗。测试表明：2.4GHz下PAE为77%,输出功率为12W。
2.4GHz逆F类GaN HEMT功率放大器的实现
【摘 要】
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提出了一种高效率逆F类GaN HEMT功率放大器设计方法,给出了GaN HEMT大信号优化模型,并基于负载牵引、源牵引和谐波负载牵引下进行仿真,得到了晶体管最大输出功率和最大效率下
【机 构】
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南京工业职业技术学院能源与电气工程学院
【出 处】
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南京工业职业技术学院学报
【发表日期】
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2015年3期
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