Ge在Si（100）-2×1表面化学吸附的第一性原理研究

• 作 者: 陆顺其 王茺 靳映霞 卜琼琼 杨宇
• 机 构: 云南大学光电信息材料研究所
• 出 处: 人工晶体学报
• 发表日期: 2012年4期
• 关键词: 化学吸附 表面吸附能 密度泛函理论 chemisorption surface adsorption energy density functional
• 基金项目: 国家自然科学基金（10964016和10990103）,云南省自然基金重点（2008CC012）,教育部科学技术研究重点（210207）资助的项目

应用密度泛函理论,构造了具有非对称二聚体结构的Si（100）-2×1重构表面,在系统研究了其表面结构及特性的基础上,计算了Ge在不同吸附位置的表面吸附能,以及吸附前后的表面投影态密度。计算结果表明：Ge原子在基位（pedestal）吸附最稳定。另外,在吸附Ge原子之后,我们得到了一个具有完整对称性的特殊Si原子二聚体结构。此结构中相邻的两个二聚体链互相平行且分别与Si表面平行,每对二聚体Si原子呈对称分布。