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<正>SnO_2具有金红石型的晶体结构,禁带宽度约为 3.6 eV.由于Sn的电子亲合力不太强,晶态SnO_2都具有氧空位,故属于N型金属氧化物半导体.作为施主的氧空位,其能
金属氧化物半导体SnO2气敏传感器
【摘 要】
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<正>SnO_2具有金红石型的晶体结构,禁带宽度约为 3.6 eV.由于Sn的电子亲合力不太强,晶态SnO_2都具有氧空位,故属于N型金属氧化物半导体.作为施主的氧空位,其能
【机 构】
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西安理工大学微电子技术教研室
【出 处】
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传感技术学报
【发表日期】
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1996年2期
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