Si—Si键传递取代基效应的量子化学研究

来源 :北京师范大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:ahdx2009
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在有机化学领域中,已经广泛开展了对C—C键传递取代基效应的研究,找到了解释静电效应及空间效应的一把钥匙。但至今只有少数人讨论了Si—Si键对取代基效应的传递。1982年,Yoder等用NMR对C—C键和Si—Si键传递取代基效应的能力进行了对比研究,测定了XSi(CH_3)_2Si(CH_3)_3(X=F,Cl,CH_3等)的化学位移及耦合常数,并由此论证了Si—Si键传递取代基的能力比C—C键弱得多的原因,认为前者是传递诱导效应的绝缘 In the field of organic chemistry, studies have been widely conducted on the effects of substituents on the C-C bond, finding a key to explaining electrostatic effects and spatial effects. However, only a few people have so far discussed the transfer of Si-Si bonds to substituent effects. In 1982, Yoder et al. Compared the ability of substituents to transfer C-C bonds and Si-Si bonds by NMR. The XSi (CH_3) _2Si (CH_3) _3 (X = F, Cl, CH_3, etc.) Chemical shifts and coupling constants. It is thus demonstrated that Si-Si bonds are much weaker than C-C bonds in terms of their ability to transfer substituents. The reason for this is that the former is an insulator that induces an inductive effect
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