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使用分子束外延技术制和轩了应变锗硅外延薄膜，并在不同温度下对样品等时热退火处理；采用侧面透射电子显微镜对退火样品进行观测，获得有关高温退火后锗硅外延层与硅衬底界面的位错生长情况，采用高分辨电子显微镜观测样品退火以前的显微结构，表明样品在８５０℃退火温度时出现的位错生长是一种混合型热松弛机理。
锗硅分子束外延层与衬底界面的电镜研究
【摘 要】
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使用分子束外延技术制和轩了应变锗硅外延薄膜，并在不同温度下对样品等时热退火处理；采用侧面透射电子显微镜对退火样品进行观测，获得有关高温退火后锗硅外延层与硅衬底界面的位
【机 构】
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大连理工大学物理系,复旦大学应用物理国家重点实验室
【出 处】
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大连理工大学学报
【发表日期】
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1996年2期
【基金项目】
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复旦大学应用表面物理国家重点实验室开放课题
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