The parameters in the band-anticrossing model for InxGa1-xNyP1-y before and after annealing

• 作 者: ZHAO ChuanZhen ZHANG Rong LIU
• 机 构: SchoolofInformationandCommunicationEngineering,JiangsuProvincialKeyLaboratoryofAdvancedPhotonicandEl
• 出 处: 中国科学：物理学、力学、天文学英文版
• 发表日期: 2011年12期
• 关键词: 模型参数 退火 实验数据拟合 BAC 发光效率 InGaNP band gap bowing annealing
• 基金项目: supported by the Special Funds for Major State Basic Research Project （Grant No.2011CB301901）, the National Natural Science Foundation of China （Grant Nos.60820106003 60990311 and 60906025）, the Natur

我们在 band-anticrossing (用绳子拖的平底渡船) 调查参数为在这个工作的 GaNP 和 InGaPN 的模型。在为 GaNP 和 InGaNP 的 BAC 模型的参数被恰当的试验性的数据获得。In-GaNP 鞠躬的乐队差距比 InGaNAs 的强壮，这被发现。为 InGaNP 在 BAC 模型在参数上退火的效果也在这个工作被讨论。另外，为由退火改进光效率的起源被解释。它相对形成更多的客栈簇。