应变Si1—xGex层本征载流子浓度和有效态密度的温度特性分析

• 作 者: 张万荣 曾峥
• 机 构: 西安交通大学电信学院电子工程系微电子学研究所
• 出 处: 低温物理学报
• 发表日期: 1996年4期
• 关键词: 硅-锗层 本征载流子 态密度 温度特性
• 基金项目: 国家教委博士点基金

本文计算了应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层的本征载流子浓度及导带和价带有效态密度。首次用解析的方法研究了它们与Ｇｅ组份ｘ和温度Ｔ的依赖关系。我们发现，随Ｇｅ组份ｘ的增加，由于Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层中应力的影响，导带和价带有效态密度随之快速减少，而本征载流子浓度却随之而近乎指数式地增加。而且，温度Ｔ越低，导带和价带有效态密度随Ｇｅ组份ｘ的增加而减少得越快，而本征载流子浓度上升得越快。同时，我们还发现，具有大Ｇｅ组