镉的硫族化合物半导体纳米线阵列的模板法合成及其紫外可见吸收光谱研究(英文)

• 作 者: 徐士民 王广厚
• 机 构: 南京师范大学化学系,南京大学固体微结构国家重点实验室
• 出 处: 电化学
• 发表日期: 2000年2期
• 关键词: 模板法合成 多孔氧化铝 半导体 硫族化镉 纳米线

以多孔氧化铝为模板，用交流电分别通过含有相应的ＣｄＣｌ２、ＺｎＣｌ２、单质Ｓ、Ｓｅ等的二甲亚砜（ＤＭＳＯ）溶液，沉积ＣｄＳ、ＣｄＣｅ以及ＣｄｘＺｎ１－ｘＳ半导体纳米线阵列并研究其紫外可见吸收光谱。实验结果表明，当半导体纳米线的直径小于２５ｎｍ时，其吸收边相对于体相的吸收边产生蓝移，而且蓝移的幅度随着半民体纳米线直径的减小而增加，显示了明显的量子限域效应。