【摘 要】
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采用脉冲激光沉积（PLD）技术在Si（111）衬底上生长了Eu3＋、Li＋共掺杂的ZnO薄膜。分别对样品进行了X射线衍射（XRD）谱测试和光致发光（PL）谱分析,重点研究了退火处理对样品结构和发射光谱的
【机 构】
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曲阜师范大学物理工程学院,鲁东大学
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采用脉冲激光沉积（PLD）技术在Si（111）衬底上生长了Eu3＋、Li＋共掺杂的ZnO薄膜。分别对样品进行了X射线衍射（XRD）谱测试和光致发光（PL）谱分析,重点研究了退火处理对样品结构和发射光谱的影响。XRD谱测试表明,样品具有很好的C轴择优取向。PL谱研究表明,当用325nm光激发样品时,样品的发射光谱仅由ZnO基质的紫外发射和蓝光发射组成,并没有发现稀土Eu3＋的特征发光峰;样品的蓝光发射源于电子从Zn填隙形成的浅施主能级到Zn空位形成的浅受主能级跃迁;和真空中退火的样品相比,O2中制备的样品的
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