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Role of MeV Ion Implantation in Limiting Transient Enhanced Diffusion of Born Atoms in Silicon
【机 构】
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不详,UniversityofSurrey
【出 处】
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近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版
【发表日期】
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2000年1期
【基金项目】
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Supported by the Royal Society Fellowship.
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