【摘 要】
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一引言近年来出现了许多具有复杂结构的化合物半导体器件,如GaAsIC、高电子迁移率晶体管(HEMT)、超晶格器件和双异质结半导体激光器等。与之相应,对化合物半导体生长技术也
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一引言近年来出现了许多具有复杂结构的化合物半导体器件,如GaAsIC、高电子迁移率晶体管(HEMT)、超晶格器件和双异质结半导体激光器等。与之相应,对化合物半导体生长技术也提出了更高的要求,主要有以下三方面: 1) 能精密生长非常薄的外延层(小于几百埃); 2) 能生长含有多种元素的多层结构薄膜; 3) 能很均匀地生长大面积的薄膜。
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