【摘 要】
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SiC绝缘栅双极型晶体管(IGBT)兼具了导通损耗低、开关频率高的显著优势,已成为下一代高压开关器件的重点研究对象。然而,由于高质量的SiC衬底、外延材料制备不易,器件机理及
【机 构】
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新型功率半导体器件国家重点实验室,株洲中车时代电气股份有限公司
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SiC绝缘栅双极型晶体管(IGBT)兼具了导通损耗低、开关频率高的显著优势,已成为下一代高压开关器件的重点研究对象。然而,由于高质量的SiC衬底、外延材料制备不易,器件机理及工艺流程较为复杂,研究开发过程比较缓慢。通过针对性的器件物理建模,在此基于Silvaco软件完成了器件的正向导通特性仿真,分析了缓冲层及结型场效应晶体管(JFET)区对器件正向性能的影响,并基于以上结果进行了实际流片,测试结果基本符合理论预期。
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