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报告了用全带Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN和ZnO材料电子输运特性的结果.模拟所用的能带结构数据是用经验赝势法算得的.通过模拟得到了两种材料的平均漂移速度和平均能量与电场强度关系曲线,求得了电子迁移率.并且将两种材料的结果以及文献报道的GaAs的模拟结果进行了比较.
用全带Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN和ZnO材料的电子输运特性
【摘 要】
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报告了用全带Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN和ZnO材料电子输运特性的结果.模拟所用的能带结构数据是用经验赝势法算得的.通过模拟得到了两种材料的平均漂移速度和平均能量
【机 构】
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河北大学电子信息工程学院,Beckman Institute
【出 处】
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物理学报
【发表日期】
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2004年期
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