【摘 要】
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可利用一种抗蚀掩模来制造双扩散横向晶体管结构,这种掩模可为晶体管有源区的形成提供自对准对位精度。这种横向结构包括一个在实质上至少有平坦表面的半导体材料区,这种结构
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可利用一种抗蚀掩模来制造双扩散横向晶体管结构,这种掩模可为晶体管有源区的形成提供自对准对位精度。这种横向结构包括一个在实质上至少有平坦表面的半导体材料区,这种结构至少还包括一个接近于平坦表面所构成的绝缘材料区,此绝缘材料区的顶面在实质上是同上述的那个表面共平面的。在接近平坦表面和绝缘材料区两者的第一部分的半导体材料上形成收集区,然后在接近平坦表面和绝缘材料的第二部分的半导体材料上形成发射区。基区将收集区同发射区隔开。
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