【摘 要】
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利用脉冲磁控溅射制备技术,采用单质金属铜靶作为溅射靶,在氧气(O2)和氩气(Ar)的混合气氛下,在石英玻璃衬底上制备了Cu2O薄膜。研究了溅射功率对脉冲反应磁控溅射沉积法在室
【机 构】
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云南师范大学太阳能研究所可再生能源材料先进技术及制备教育部重点实验室,楚雄师范学院物理与电子科学系,托莱多大学物理与天文体系
【基金项目】
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国家自然科学基金联合资助基金项目(U1037604)
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利用脉冲磁控溅射制备技术,采用单质金属铜靶作为溅射靶,在氧气(O2)和氩气(Ar)的混合气氛下,在石英玻璃衬底上制备了Cu2O薄膜。研究了溅射功率对脉冲反应磁控溅射沉积法在室温下对生长Cu2O薄膜结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明,在O2、Ar流量比(O2/Ar)为30∶80的气氛条件下,在60~90 W的溅射功率范围内可获得<111>取向的Cu2O薄膜;薄膜的表面粗糙度的均方根值随溅射功率的增加而增大;薄膜的光谱吸收范围为300~670 nm,不同溅射功率下制备的薄膜均在430 nm附近出现明显的带边吸收,其光学带隙(Eg)在2.15~2.53 eV之间变化。
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