【摘 要】
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利用射频磁控溅射方法,在单晶MgO（100）及缓冲层异质结构基底上沉积La掺杂的xBiInO3-（1-x）PbTiO3薄膜。通过调控靶材配比和溅射参数,研究了溅射中由于基底加热造成的溅射过程中的
【机 构】
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南京邮电大学电子与光学工程学院,江苏省射频集成与微组装工程实验室,南京大学近代声学教育部重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(11304160);南京邮电大学自然科学基金资助项目(NY215111)
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利用射频磁控溅射方法,在单晶MgO（100）及缓冲层异质结构基底上沉积La掺杂的xBiInO3-（1-x）PbTiO3薄膜。通过调控靶材配比和溅射参数,研究了溅射中由于基底加热造成的溅射过程中的薄膜失铅、失铋现象,同时对磁控溅射参数进行了调控和研究,得到了优化的溅射制备条件。利用XRD、SEM、EDS、铁电分析仪等仪器,并对不同BiInO3组分对薄膜性能的影响进行研究,包括对薄膜的生长取向、形貌、铁电性和居里温度等进行研究,获得综合性能良好的高铁电性、高居里温度的铁电薄膜。
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