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本文论述了薄膜磁敏元件对基片的要求，依此要求选择硅和高密度铁氧体为基片，上部制备SiO2作绝缘膜。重点讨论了用射频溅射法制备SiO2膜。文章就溅射条件和膜特性进行了实验，给出实验结果。
薄膜磁敏元件基片的选择与制备
【摘 要】
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本文论述了薄膜磁敏元件对基片的要求，依此要求选择硅和高密度铁氧体为基片，上部制备SiO2作绝缘膜。重点讨论了用射频溅射法制备SiO2膜。文章就溅射条件和膜特性进行了实验，给出
【机 构】
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沈阳工业大学,沈阳仪器仪表工艺研究所
【出 处】
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仪表技术与传感器
【发表日期】
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1995年3期
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